آئی آر ایف پی 064 این پی بی ایف

بین الاقوامی ریکٹیفائر سے پانچویں جنریشن HEXFETs اعلی درجے کی پروسیسنگ تکنیکوں کو استعمال کرتے ہیں تاکہ فی سلیکون علاقے میں انتہائی کم مزاحمت حاصل کی جا سکے۔ یہ فائدہ تیز رفتار سوئچنگ اسپیڈ اور ناہموار ڈیوائس ڈیزائن کے ساتھ مل کر جس کے لیے HEXFET Power MOSFETs مشہور ہیں، ڈیزائنر کو ایپلی کیشنز کی وسیع اقسام میں استعمال کے لیے ایک انتہائی موثر اور قابل اعتماد ڈیوائس فراہم کرتا ہے۔